倒扣芯片连接底充胶分层和焊点失效附视频

被引：16

作者：

徐步陆

张群

彩霞

黄卫东

谢晓明

程兆年

机构：

[1] 中国科学院上海冶金研究所中德电子封装联合实验室

[2] 中国科学院上海冶金研

来源：

半导体学报 | 2001年 / 10期

关键词：

倒扣芯片技术; 底充胶; 有限元模拟; 能量释放率; 界面分层与裂缝扩展;

D O I：

暂无

中图分类号：

TN405.97 [互连及多层布线技术];

学科分类号：

140103 [集成电路制造工程];

摘要：

在热循环疲劳加载条件下 ,使用 C- SAM高频超声显微镜测得了 B型和 D型两种倒扣芯片连接在焊点有无断裂时芯片 /底充胶界面的分层和扩展 ,得到分层裂缝扩展速率 .同时在有限元模拟中使用断裂力学方法计算得到不同情况下的裂缝顶端附近的能量释放率 .最后由实验裂缝扩展速率和有限元模拟给出的能量释放率得到可作为倒扣芯片连接可靠性设计依据的 Paris半经验方程

引用

页码：1335 / 1342

页数：8