多晶硅薄膜应力特性研究

被引：26

作者：

张国炳

郝一龙

田大宇

刘诗美

王铁松

武国英

机构：

[1] 北京大学微电子学研究所

来源：

半导体学报 | 1999年 / 06期

关键词：

多晶硅薄膜; 微结构; 低压化学气相淀积; 制备条件; 土壤结构; 本征应力; 退火温度; 多晶硅膜; 应力特性;

D O I：

暂无

中图分类号：

TN304.110.55,O484.2 [];

学科分类号：

0805 ; 080501 ; 080502 ; 080903 ;

摘要：

本文报道了低压化学气相淀积（ＬＰＣＶＤ）制备的多晶硅薄膜内应力与制备条件、退火温度和时间及掺杂浓度关系的实验研究结果，用ＸＲＤ、ＲＥＤ等技术测量分析了多晶硅膜的微结构组成．结果表明，ＬＰＣＶＤ制备的多晶硅薄膜具有本征压应力，其内应力受淀积条件、微结构组成等因素的影响．采用快速退火（ＲＴＡ）可以使其压应力松弛，减小其内应力，并可使其转变成为本征张应力，以满足在微机电系统（ＭＥＭＳ）制备中的要求．

引用

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