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激光照射下的低温氧化生成锗的纳米结构及其特性
被引：16
作者：
黄伟其
刘世荣
机构：
[1] 贵州大学物理系,光电子实验室,中国科学院地化所电镜室贵阳市,贵阳市
来源：
关键词：
高精度椭偏仪;
锗的纳米结构;
PL光谱;
量子受限;
D O I：
暂无
中图分类号：
O471 [半导体理论];
学科分类号：
070204 [等离子体物理];
摘要：
在高精度椭偏仪 (HPE)系统中 ,采用激光照射硅锗合金衬底助氧化的新方法 ,在SiO2 层中生成锗的双纳米面结构 ;并在样品生长过程中 ,用HPE同步测量样品的纳米结构 .用Raman光谱仪测量样品的横断面 ,发现很强的PL发光谱峰 .用量子受限模型和改进的量子从头计算 (UHFR)方法分析了PL光谱的结构 .
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页码：972 / 976
页数：5
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