Y-TZP陶瓷晶粒生长的控制

被引：5

作者：

徐跃萍

郭景坤

黄校先

李包顺

机构：

[1] 中国科学院上海硅酸盐研究所

来源：

硅酸盐学报 | 1992年 / 04期

关键词：

钇稳定四方相多晶氧化锆; 陶瓷; 超细晶粒; 晶粒生长; 烧结工艺;

D O I：

10.14062/j.issn.0454-5648.1992.04.012

中图分类号：

学科分类号：

摘要：

为了获得超细晶粒的Y-TZP陶瓷,制备了无团聚体的素坯,研究了在烧结过程中的晶粒生长和气孔变化的规律。在烧结初期,晶粒与气孔同时增大;在烧结中期,气孔的表面扩散是晶粒生长的主要机理;烧结后期,随着烧结温度的提高,晶界扩散是晶粒生长的主要机理。实验结果进一步表明:在1250℃,2h的烧结条件下,可获得晶粒尺寸仅为100～150nm的Y-TZP陶瓷。

引用

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