一种新的SOI制备技术:H+离子注入、键合和分离

被引：4

作者：

竺士场

张苗

林成鲁

黄宜平

吴东平

李金华

机构：

[1] 复旦大学电子工程系!上海,,中国科学院上海冶金研究所信息功能材料国家重点实验室!上海,,中国科学院上海冶金研究所信息功能材料国家重点实验室!上海,,复旦大学电子工程系!上海,,复旦大学电子工程系!上海,,江苏石油化工学院!常州,

来源：

半导体学报 | 1997年 / 09期

关键词：

SOI; 扩展电阻; 离子注入; 离子掺杂; 键合; 制备技术;

D O I：

暂无

中图分类号：

TN305 [半导体器件制造工艺及设备];

学科分类号：

1401 ;

摘要：

H＋离子注入Si片并经一定条件退火，可在Si片中形成埋层微空腔（microcavity）层，结合Si片键合技术，用智能剥离（Smart－cut）技术成功地制备了Unibond－SOI材料，并用扩展电阻（SRP）、卢瑟福背散射（RBS／C）和剖面透射电子显微镜（XTEM）等初步分析了其结构和电学性质．

引用

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