基于表面势的MOSFET模型

被引:5
作者
程彬杰
邵志标
唐天同
机构
[1] 西安交通大学微电子工程系!
关键词
整体模型; 表面势; 金属-氧化物-半导体场效应晶体管;
D O I
暂无
中图分类号
TN303 [结构、器件];
学科分类号
0805 ; 080501 ; 080502 ; 080903 ;
摘要
基于表面势的模型由于其本质上的优点 ,在小尺寸器件建模中日趋得到重视。文中通过对几种典型的表面势模型的分析 ,论述了基于表面势模型的建模思想、特点和在电路模拟中的优越性。分析表明 ,这是一种基于物理描述的模型 ,具有连续性、物理意义明确、结构简明等特点 ,对建立小尺寸器件整体模型非常适合和有效。
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[2]  
A charge-sheet model of the MOSFET. Brews J R. Solid State Electronics . 1978
[3]  
Unified complete MOSFET model for analysis of digital and analog circuits. Miura-Mattausch M, Feldmann U, Rahm A, et al. I EEE Computer-Aided Design . 1996
[4]  
An improved MOSFE model for circuit simulation. Joardar K, Gullapalli K K, McAndrew Colin C, et al. IEEE Electron Device Letters . 1998
[5]  
MOS transistors: scaling and performance trends. Bohr M. Semiconductor International . 1995
[6]  
Effects of diffusion current on characteristics of metaloxide ( insulator )semiconductor transistor. Pao H C, Sah C T. Solid State Electronics . 1966
[7]  
BSIM: Berkeley short-channel IGFET model for MOS transistors. Sheu B J, Scharfetter D L, Ko P K, et al. IEEE Journal of Solid State Circuits . 1987
[8]  
A Physical and Scalable I-V Model inBSIM3v3 for Analog/Digital Circuit Simulation. Cheng Y,Jeng M C,Liu Z H, etc. IEEE Trans On ElectronDevice . 1997