PDSOI CMOS SRAM单元临界电荷的确定

被引：2

作者：

郭天雷

赵发展

韩郑生

海潮和

机构：

[1] 中国科学院微电子研究所

来源：

电子器件 | 2007年 / 04期

关键词：

临界电荷; 单粒子翻转; PDSOI; 寄生三极管; SRAM;

D O I：

暂无

中图分类号：

TN432 [场效应型];

学科分类号：

080903 ; 1401 ;

摘要：

PDSOI CMOS SRAM单元的临界电荷(Critical Charge)是判断SRAM单元发生单粒子翻转效应的依据.利用针对1.2μm抗辐照工艺提取的PDSOI MOSFET模型参数,通过HSPICE对SRAM 6T存储单元的临界电荷进行了模拟,指出了电源电压及SOI MOEFET寄生三极管静态增益β对存储单元临界电荷的影响,并提出了在对PDSOI CMOS SRAM进行单粒子辐照实验中,电源电压的最恶劣偏置状态应为电路的最高工作电压.

引用

页码：1133 / 1136

页数：4

共 5 条

[1]

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