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宽禁带半导体电力电子器件研发新进展
被引：50
作者：
陈治明
机构：
[1] 西安理工大学
来源：
关键词：
D O I：
暂无
中图分类号：
TN303 [结构、器件];
学科分类号：
080906 [电磁信息功能材料与结构];
摘要：
<正>理论和十余年的研发实践都已证明,碳化硅、氮化镓和金刚石等宽禁带半导体比硅更适合用来制造电力电子器件。随着材料与器件工艺以及封装技术的逐渐完善,这些器件超乎寻常的高阻断电压、低通态比电阻和比热阻、低开关损耗、
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