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二氧化钛表面包覆氧化硅纳米膜的热力学研究
被引:98
作者
:
崔爱莉
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机构:
清华大学化学系,清华大学化工系,清华大学化工系,中国科学院物理研究所表面物理国家重点实验室北京,北京,北京
崔爱莉
王亭杰
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清华大学化学系,清华大学化工系,清华大学化工系,中国科学院物理研究所表面物理国家重点实验室北京,北京,北京
王亭杰
金涌
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清华大学化学系,清华大学化工系,清华大学化工系,中国科学院物理研究所表面物理国家重点实验室北京,北京,北京
金涌
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机构:
孙牧
机构
:
[1]
清华大学化学系,清华大学化工系,清华大学化工系,中国科学院物理研究所表面物理国家重点实验室北京,北京,北京
来源
:
高等学校化学学报
|
2001年
/ 09期
关键词
:
二氧化钛;
氧化硅;
热力学;
包覆;
D O I
:
暂无
中图分类号
:
O642 [化学热力学、热化学、热力学平衡];
学科分类号
:
070305
[高分子化学与物理]
;
摘要
:
热力学计算结果表明 ,氧化硅的临界成核半径为 2 .8nm.由起伏引起的核胚如果小于 2 .8nm则不会形成晶核而继续生长 .上述热力学分析虽然是半理想化的 ,但是非常有效 .可以找到这样一个体系 ,其溶液条件不发生均匀成核 ,而是异相表面成核 .这在理论上为氧化硅包覆在二氧化钛表面形成均匀膜而不生成单独的氧化硅相提供了可能
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页码:1543 / 1545
页数:3
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