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半导体激光器的发展
被引:2
作者
:
郭晓燕
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
北方科技信息研究所
郭晓燕
机构
:
[1]
北方科技信息研究所
来源
:
激光技术
|
1987年
/ 02期
关键词
:
半导体激光器;
领域;
AlGaAs;
输出特性;
大光腔;
半导体光激射器;
双异质结;
增益波导;
D O I
:
暂无
中图分类号
:
学科分类号
:
摘要
:
本文主要介绍Ⅲ-Ⅴ族元素制成的半导体激光器,如 AlGaAs 和 InGaAsP 等的发展情况。它辐射近红外光,在军事领域中的应用潜力已受到各国军方的广泛重视。
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页数:7
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