太赫兹光非对称解复用器中自发辐射噪声特性分析

被引：5

作者：

温亮生

伍剑

林金桐

机构：

[1] 北京邮电大学光通信中心

[2] 北京邮电大学光通信中心北京

[3] 北京

来源：

中国激光 | 2003年 / 09期

关键词：

通信技术; 自发辐射噪声; 太赫兹光非对称解复用器; 半导体光放大器; 开关窗口; 信噪比;

D O I：

暂无

中图分类号：

TN929.11 [光纤通信];

学科分类号：

0803 ;

摘要：

提出了一个在超短脉冲注入半导体光放大器 (SOA)时 ,在考虑了半导体带间效应以及带内效应 ,包括载流子热效应、谱烧孔效应、双光子吸收效应以及超快非线性折射效应的自发辐射噪声的计算模型。并利用该模型计算了放大自发辐射 (ASE)噪声对太赫兹光非对称解复用器 (TOAD)开关性能的影响。数值结果表明 ,在考虑ASE噪声情况下 ,TOAD的开关窗口的边沿更陡 ,在开关窗口的尾部还会出现明显的小峰。结果还表明 ,在输入为理想孤子脉冲下 ,即使考虑ASE噪声 ,在TOAD处于开的状态时 ,其输出信号的信噪比也大于 2 5dB。

引用

页码：829 / 834

页数：6

共 11 条

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