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掺杂SnO2透明导电薄膜电学及光学性能研究
被引：37
作者：
郭玉忠
王剑华
黄瑞安
王贵青
机构：
[1] 昆明理工大学新材料制备与加工省重点实验室
[2] 昆明理工大学新材料制备与加工省重点实验室 昆明
[3] 昆明
来源：
关键词：
Sb掺杂SnO2薄膜;
导电性测量;
透光率与反射率;
D O I：
暂无
中图分类号：
TB383 [特种结构材料];
学科分类号：
070205 ;
080501 ;
1406 ;
摘要：
通过实验测量 ｓｏｌ－ｇｅｌ工艺制备的 Ｓｂ掺杂 ＳｎＯ２薄膜载流子浓度、迁移率、电阻率、膜厚，紫外－可见光区透射率、反射率等性质，详细研究了Ｓｂ掺杂ＳｎＯ２薄膜电学与光学性能．实验发现，薄膜具有良好的透光性和较高导电性，膜内载流子浓度高达１０２０ｃｍ－３，电阻率～１０－２Ω·ｃｍ，透光率高达 ９０％，ＳｎＯ２膜禁带宽度 Ｅｇ＝３７～３．８０ｅＶ．
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页码：131 / 138
页数：8
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