基于各向异性磁阻的开关芯片的制备及优化

被引：3

作者：

艾明哲 ^{[1
]}

贾雅婷 ^{[1
]}

陈忠志 ^{[2
]}

徐慧中 ^{[1
]}

彭斌 ^{[1
]}

机构：

[1] 电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室

[2] 上海腾怡半导体有限公司

来源：

功能材料 | 2013年 / 44卷 / 04期

关键词：

各向异性磁阻; NiFe薄膜; 缓冲层; 磁阻开关;

D O I：

暂无

中图分类号：

TN405 [制造工艺];

学科分类号：

080903 ; 1401 ;

摘要：

采用射频磁控溅射法用Ta作为缓冲层,在集成电路晶元上制备NiFe薄膜,并研究分析了Ta缓冲层厚度以及Ta缓冲层溅射功率对NiFe磁阻薄膜性能的影响,通过测试结果可以得到,当溅射功率由小变大时,NiFe薄膜的磁阻值也由小变到大。当Ta层的厚度在5nm左右时,NiFe更容易形成(111)织构,这时其磁阻值也最大。利用优化后的工艺,在晶元上制备NiFe薄膜,测试结果显示出开关特性,其开关场分别在398和796A/m左右。

引用

页码：577 / 580

页数：4

共 4 条

[1] 种子层对NiCo薄膜各向异性磁电阻效应的影响 [J].