结晶速度对InSb－NiSb共晶复合材料磁致电阻性能Rb／R_o影响的研究

被引：2

作者：

王元玮，萧宜雍

机构：

[1] 北京科技大学材料系，浙江大学材料系

来源：

关键词：

磁敏电阻，共晶复合材料，单向凝固，InSb－NiSb;

D O I：

暂无

中图分类号：

TN304.7 [磁性半导体、磁阻半导体];

学科分类号：

0805 ; 080501 ; 080502 ; 080903 ;

摘要：

研究了单向结晶速度Ｖ对ＩｎＳｂ－ＮｉＳｂ共晶磁致电阻性能Ｒ＿ｂ／Ｒ＿ｏ的影响。结果发现不同Ｖ，其Ｒ＿ｂ／Ｒ＿ｏ也不同。并且在Ｖ－Ｒ＿ｂ／Ｒ＿ｏ关系中存在着一个Ｒ＿ｂ／Ｒ＿ｏ最大值。这个最大值可由半导体的物理磁阻效应和几何磁阻效应的综合作用来说明。

引用

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