SiC MOSFET与SiC SBD换流单元瞬态模型

被引：23

作者：

朱义诚

赵争鸣

王旭东

施博辰

机构：

[1] 清华大学电机系电力系统及发电设备安全控制和仿真国家重点实验室

来源：

电工技术学报 | 2017年 / 32卷 / 12期

基金：

国家自然科学基金重大项目;

关键词：

SiC功率器件; 瞬态模型; 开关特性; 开关损耗;

D O I：

10.19595/j.cnki.1000-6753.tces.2017.12.006

中图分类号：

TN386 [场效应器件];

学科分类号：

0805 ; 080501 ; 080502 ; 080903 ;

摘要：

相较于硅(Si)器件,碳化硅(SiC)器件所具有的高开关速度与低通态电阻特性增加了其瞬态波形的非理想特性与对杂散参数影响的敏感性,对其瞬态建模的精度提出更高的要求。通过功率开关器件瞬态过程的时间分段、机理解耦与参数解耦,突出器件开关特性,弱化物理机理,简化瞬态过程分析,建立基于SiC MOSFET与SiC SBD的换流单元瞬态模型。理论计算结果与实验结果对比表明,该模型能够较为精细地体现SiC MOSFET开关瞬态波形且能够较为准确地计算SiC MOSFET开关损耗。该模型参数可全部由数据手册提取,有较强的实用性。

引用

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