基于GMR及TMR效应的磁随机存储器的最新应用开发

被引：5

作者：

孙以材

刘新福

宋青林

机构：

[1] 河北工业大学!天津

来源：

半导体技术 | 2001年 / 06期

关键词：

磁随机存储器; 巨磁电阻:隧道磁电阻;

D O I：

10.13290/j.cnki.bdtjs.2001.06.015

中图分类号：

TP333.3 [磁存贮器及其驱动器];

学科分类号：

081201 ;

摘要：

介绍了巨磁电阻（ＧＭＲ）及隧道磁电阻（ＴＭＲ）效应，讨论了计算机磁随机存储器（ＭＲＡＭ）的最新应用开发。

引用

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页码：46 / 50+64 +64

页数：6

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共 1 条

[1] 新型磁电材料与磁传感器 [J].

王海 .

传感器技术, 1999, (03) :51-55