集成门极换向晶闸管开关特性

被引：17

作者：

兰志明 ^{[1
]}

李崇坚 ^{[1
]}

绳伟辉 ^{[1
]}

王成胜 ^{[2
]}

朱春毅 ^{[1
]}

机构：

[1] 冶金自动化研究设计院

[2] 中国科学院电工研究所

来源：

电工技术学报 | 2007年 / 07期

关键词：

IGCT; 功能模型; PSIM; 杂散电感; 缓冲吸收电路;

D O I：

暂无

中图分类号：

TN342 [可控硅器件];

学科分类号：

080508 [光电信息材料与器件];

摘要：

新型开关器件集成门极换向晶闸管(IGCT)由于其优越的性能在中高压大功率多电平变流器系统中逐渐得到广泛应用。在电力电子仿真软件PSIM中实现的一种适用于高压大功率变流仿真的IGCT功能模型的基础上,建立了IGCT单管实验的仿真模型,分析了IGCT开关特性,特别是该电路中各种杂散参数和缓冲吸收电路中各元件参数对IGCT关断过程的影响,为实际的基于IGCT器件的大功率多电平变流器系统的结构设计和控制提供了重要的理论根据和指导。

引用

页码：93 / 97

页数：5

共 3 条

[1]

用于大功率变流器的IGCT功能型模型(英文) [J].