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MBE生长高质量GaAs／AlGaAs量子阱激光器
被引：7
作者：
杨国文，肖建伟，徐遵图，张敬明，徐俊英，郑婉华，曾一平，陈良惠
机构：
[1] 中国科学院半导体研究所
来源：
关键词：
量子阱激光器;
脊形波导;
腔长;
单量子阱;
半导体激光器;
阈值电流密度;
GaAs;
MBE;
AlGaAs;
质量;
D O I：
暂无
中图分类号：
TN248 [激光器];
学科分类号：
0803 ;
080401 ;
080901 ;
摘要：
我们利用分子束外延方法研制了ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ缓交折射率分别限制（ＧＲＩＮ－ＳＣＨ）单量子阱和双量子阱激光器．对腔长为６００μｍ的端面不镀膜的宽接触条型Ｆ－Ｐ腔激光器，阈值电流密度（平均值）分别为２９０Ａ／ｃｍ２和２４０Ａ／ｃｍ２．腔长在１２００μｍ的双量子阱激光器的阈电流密度低达１９０Ａ／ｃｍ２．对出光面和背面分别镀以增透膜和高反膜的宽接触条型（８０μｍ）．激光器，线性输出功率高达１．８２Ｗ；出光面的斜率效率达到１．０４Ｗ／Ａ；利用湿法化学腐蚀所制备的脊形波导结构单量子阱激光器阈值电流最低可达８ｍＡ，且具有非常好的均匀性．
引用
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页码：650 / 654
页数：5
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