MSM光探测器的直流特性

被引：2

作者：

武术

林世鸣

刘文楷

机构：

[1] 中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点实验室,中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点实验室,中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点实验室北京,北京,北京

来源：

半导体学报 | 2001年 / 11期

关键词：

MSM光探测器; 直流; 稳态; 等效电路; InGaAs;

D O I：

暂无

中图分类号：

TN36 [半导体光电器件];

学科分类号：

0803 ;

摘要：

在稳态条件下金属 -半导体 -金属 (MSM)光探测器的光电流一维模型可以通过求解电流连续方程和传输方程来建立并求解 .在这种条件下 ,器件内部的载流子分布情况和总体光电流可以得到解析解而不用数值方法求解 .本文从电流连续方程和传输方程出发详细推导了这一过程 ,并将这一结果应用于具体的 In Ga As MSM光探测器的直流等效电路模型上 ,取得了很好的效果

引用

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