MPCVD合成P型金刚石薄膜的电导—温度机理

被引:3
作者
贾宇明
杨邦朝
机构
[1] 电子科技大学信息材料工程学院!成都
关键词
P型金刚石薄膜; MPCVD; 电导—温度机理; 能带模型;
D O I
暂无
中图分类号
TB383 [特种结构材料];
学科分类号
070205 ; 080501 ; 1406 ;
摘要
研究了温度对 P型金刚石薄膜电导性能的影响。采用微波等离子体化学气相沉积 ( MPCVD)的方法在 Si3N4 基片上制作了掺硼金刚石薄膜。测量了不同掺硼浓度的电导温度特性关系 ,提出了一种简化的能带模型 ,解释了电导机理。基于能带模型计算出的电导—温度关系结果与试验结果相符合。
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共 1 条
[1]   掺硼金刚石膜热敏电阻器的制备工艺及温度响应 [J].
贾宇明,杨邦朝,李言荣 .
电子科技大学学报, 1996, (03) :268-270