硅靶中频反应磁控溅射二氧化硅薄膜的特性研究

被引：53

作者：

许生

侯晓波

范垂祯

赵来

周海军

吴克坚

高文波

颜远全

查良镇

机构：

[1] 深圳豪威真空光电子股份有限公司

[2] 清华大学电子工程系

[3] 清华大学电子工程系广东深圳

来源：

真空 | 2001年 / 05期

关键词：

反应磁控溅射; 二氧化硅特性;

D O I：

暂无

中图分类号：

TB43 [薄膜技术];

学科分类号：

080101 [一般力学与力学基础];

摘要：

报道了中频双靶反应磁控溅射制备二氧化硅 (Si O2 )薄膜的装置、工艺及薄膜特性。对制备的 Si O2 薄膜的化学配比和元素化学态进行了 SAM和 XPS分析 ,测试了膜层对钠离子 (Na+ )阻挡性能、光学折射率和可见光的透过率。研究表明作者开发的中频双靶反应磁控溅射沉积 Si O2 薄膜的设备和工艺可以高速率、大面积制备高质量的 Si O2 膜。

引用

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