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ULSI多层布线中Cu的CMP技术
被引:9
作者
:
王弘英
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河北工业大学!天津,河北工业大学!天津,河北工业大学!天津,河北工业大学!天津
王弘英
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刘玉岭
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王新
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檀柏梅
机构
:
[1]
河北工业大学!天津,河北工业大学!天津,河北工业大学!天津,河北工业大学!天津
来源
:
电子器件
|
2001年
/ 02期
关键词
:
多层布线;
铜;
化学机械抛光;
浆料;
D O I
:
暂无
中图分类号
:
TN305 [半导体器件制造工艺及设备];
学科分类号
:
080508
[光电信息材料与器件]
;
摘要
:
作者对当前 ULSI多层布线中金属铜的 CMP技术作了系统的介绍 ,对抛光机理、多层布线中铜图案成型技术、浆料目前的种类及成分和表面完美性问题作了详细地分析和论述 ,并对目前存在问题及解决的方法和发展方向进行了讨论。
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基础元器件是电子工业的基石
[J].
王海
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Solution chemical constraints in the chemical-mechanical polishing of copper:aqueous stability diagrams for the Cu-H2O and Cu-NH3-H2O systems
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OsseoAsare, K
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ONTRAK SYST INC, MILPITAS, CA 95036 USA
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OsseoAsare, K
;
Mishra, KK
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ONTRAK SYST INC, MILPITAS, CA 95036 USA
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Mishra, KK
.
JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS,
1996,
25
(10)
:1599
-1607
[6]
Electrochemical effects in the chemical-mechanical polishing of copper for integrated circuits
[J].
Sainio, CA
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Rensselaer Polytechnic Institute, Dept. of Mat. Sci. and Engineering, Troy
Sainio, CA
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Duquette, DJ
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Rensselaer Polytechnic Institute, Dept. of Mat. Sci. and Engineering, Troy
Duquette, DJ
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Steigerwald, J
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Rensselaer Polytechnic Institute, Dept. of Mat. Sci. and Engineering, Troy
Steigerwald, J
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Murarka, SP
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Rensselaer Polytechnic Institute, Dept. of Mat. Sci. and Engineering, Troy
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.
JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS,
1996,
25
(10)
:1593
-1598
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[1]
基础元器件是电子工业的基石
[J].
王海
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中国电子工业发展规划研究院
王海
;
李盛沐
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世界电子元器件,
1999,
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[2]
微电子的进展
[J].
陈兴信
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世界电子元器件,
1999,
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[3]
建设自我良性发展的中国集成电路产业
[J].
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表面活性剂应用手册.[M].刘程等主编;.化学工业出版社.1995,
[5]
Solution chemical constraints in the chemical-mechanical polishing of copper:aqueous stability diagrams for the Cu-H2O and Cu-NH3-H2O systems
[J].
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Mishra, KK
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Mishra, KK
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JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS,
1996,
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(10)
:1599
-1607
[6]
Electrochemical effects in the chemical-mechanical polishing of copper for integrated circuits
[J].
Sainio, CA
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1996,
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