以InCl3 ·4H2 O为原料 ,经水解、胶溶、凝胶、煅烧得到了纳米级In2 O3 。利用XRD ,TEM ,TG-DTA等测试手段对纳米级In2 O3 的晶粒生长过程进行了研究。计算表明 :随着煅烧温度的升高 ,平均晶粒度增大 ,而平均晶格畸变率则随着平均晶粒度的增大而减少。表明粒子越小 ,晶格畸变率越大 ,晶粒发育越不完整。应用相变理论计算得温度低于 5 0 0℃煅烧 1h ,晶粒生长活化能为 4.75kJ·mol-1,高于6 0 0℃时 ,晶粒生长活化能为 6 6 .40kJ·mol-1。TEM分析表明 :加入适量形貌控制剂 ,可使颗粒的粒径和形貌得到很大改善。