共 1 条
牵引用3300V IGBT/FRD芯片组设计与开发
被引：13
作者：
刘国友
覃荣震
Ian Deviny
黄建伟
机构：
[1] 株洲南车时代电气股份有限公司功率半导体研发中心
来源：
关键词：
绝缘栅双极晶体管;
轨道交通;
终端结构;
台面栅;
注入效率;
元胞;
D O I：
10.13890/j.issn.1000-128x.2013.02.002
中图分类号：
TN322.8 [];
学科分类号：
0805 ;
080501 ;
080502 ;
080903 ;
摘要：
针对轨道交通绝缘栅双极晶体管(IGBT)的应用特点,利用计算机仿真技术对终端结构进行优化,提高耐压特性;采用台面栅结构,提高开关速度;通过控制载流子注入效率,改善Vceon与Eoff的折中关系,降低芯片损耗;采用先进元胞设计技术,提高芯片短路能力,从而提高芯片可靠性;通过超低阳极掺杂控制阳极注入效率,免除局部寿命控制,降低FRD的反向漏电流。研究开发了3300V IGBT及其配套FRD芯片,满足轨道交通的应用要求。
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