高频MOSFET并联运行及驱动特性研究

被引：6

作者：

苏娟

王华民

冷朝霞

机构：

[1] 西安理工大学自动化与信息工程学院

[2] 西安理工大学自动化与信息工程学院陕西西安

[3] 陕西西安

[4] 陕西西安

来源：

关键词：

高频; MOSFET; 并联; 驱动电路; 均流;

D O I：

10.19322/j.cnki.issn.1006-4710.2003.04.013

中图分类号：

TM464 [逆变器];

学科分类号：

摘要：

提出一种高频MOSFET驱动电路,分析研究了高频MOSFET双管并联动态开关模式下出现的不均流问题。小功率电路实验结果表明,采取两个并联MOSFET对称分布,且通过调节栅极输入电阻使两个MOSFET特性参数匹配等措施,可获得较好的均流效果,在1MHz工作频率下可实现两管同时开关。

引用

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页数：4