金纳米粒子LB单层膜的制备及其I-V特性

被引：2

作者：

曲鹏

王英

张亚非

机构：

[1] 上海交通大学DNA计算机交叉团队薄膜与微细技术教育部重点实验室微米/纳米加工技术国家级重点实验室上海交通大学微纳科学技术研究院

来源：

电子元件与材料 | 2006年 / 02期

关键词：

电子技术; 金纳米粒子; LB技术; 扫描电子显微镜(SEM); I-V曲线;

D O I：

10.14106/j.cnki.1001-2028.2006.02.006

中图分类号：

TB383.1 [];

学科分类号：

070205 ; 080501 ; 1406 ;

摘要：

在不同条件下采用LB技术制备了金纳米粒子单层膜,并利用SEM对所得到的薄膜的表面形貌进行表征。结果表明决定薄膜质量的关键因素是表面压。将表面压控制在22～26mN/m的范围内以较慢的拉膜速度在Si(100)基底上进行拉膜,可以得到大面积金纳米粒子的均匀致密单层膜。在室温下测量两点之间单层膜的I-V特性,得到了非欧姆特性,这是由电子在电场作用下发生隧穿产生的。

引用

页码：18 / 21

页数：4

共 5 条

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