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- [5] Silicon Carbide Emitter Turn-Off Thyristor[J] . Jun Wang,Gangyao Wang,Jun Li,Alex Q. Huang,Jerry Melcher,Stan Atcitty,Ty McNutt.International Journal of Power Management Electronics . 2008
碳化硅电力电子器件在电力系统的应用展望
被引：160
作者：
盛况
郭清
张军明
钱照明
机构：
[1] 浙江大学电气工程学院
来源：
关键词：
碳化硅;
电力电子器件;
电力系统;
D O I：
10.13334/j.0258-8013.pcsee.2012.30.001
中图分类号：
TN303 [结构、器件];
TM72 [输配电技术];
学科分类号：
摘要：
碳化硅作为一种宽禁带材料,具有高击穿场强、高饱和电子漂移速率、高热导率等优点,可以实现高压、大功率、高频、高温应用的新型功率半导体器件。该文对碳化硅功率半导体器件的最新发展进行回顾,包括碳化硅功率二极管、MOSFET、IGBT和晶闸管,对其在电力系统的应用现状与前景进行展望。高压大容量碳化硅功率半导体器件的迅速发展,将对电力系统的发展带来深远的影响。
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