AlGaInP红、橙、黄光高亮度LED外延材料

被引：1

作者：

关兴国

严振斌

刘惠生

路红喜

李志强

李艾功

机构：

[1] 河北汇能电力电子有限公司!河北石家庄

来源：

关键词：

半导体; MOCVD; 外延材料; 发光管;

D O I：

10.13250/j.cnki.wndz.2000.06.011

中图分类号：

TN304.054 [];

学科分类号：

摘要：

采用金属有机化合物汽相淀积技术生长用于高亮度发光管 (UB-L ED)的 Al Ga In P/Ga As半导体微结构材料 ,突破了材料结构设计和材料生长工艺的关键技术 ,生长出满足于 Cd级的红、橙、黄光 L ED器件的外延材料。

引用

页码：50 / 54

页数：5