低温共烧多层AlN陶瓷基片

被引：7

作者：

吴音

缪卫国

刘耀诚

周和平

机构：

[1] 清华大学新型陶瓷与精细工艺国家重点实验室

来源：

材料研究学报 | 1998年 / 02期

关键词：

AlN陶瓷; 低温共烧; 多层送片; 热导率;

D O I：

暂无

中图分类号：

TQ174 [陶瓷工业];

学科分类号：

摘要：

介绍了由高热导率AlN陶瓷与金属W制备的低温共烧多层AlN基片研究了以Dy2O3为主的添加系统对低温烧结AlN性能、显微结构的影响以及制备低温共烧基片的关键工艺，如排胶、烧成等，结果表明：以Dy2O3为主的添加系统可有效地降低烧结温度和去除AlN晶格氧在1650℃的氮中无压烧结4h，热导率达130W（m·K）-1;两步排胶法可以较好地解决W氧化及AlN晶粒表面吸附残余碳的问题；烧结时在1400～1650℃慢速升温，可减小共烷基片的翘曲和残余应力

引用

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