WO3基H2S气敏材料的研究

被引：40

作者：

徐甲强

闫冬良

王国庆

田志壮

江青萍

机构：

[1] 郑州轻工业学院化工系

[2] 河南省南阳卫生学校

来源：

关键词：

硫化氢检测; 气体传感器; 氧化钨; 正交试验; 气敏机理;

D O I：

10.14062/j.issn.0454-5648.1999.05.014

中图分类号：

TN379.04 [];

学科分类号：

0805 ; 080501 ; 080502 ; 080903 ;

摘要：

采用正交试验法和单水平试验法研究了热处理温度及掺杂元素对ＷＯ３基Ｈ２Ｓ气敏元件灵敏度、选择性、稳定性、响应恢复特性及元件阻值的影响，得到了较为理想的Ｈ２Ｓ气敏元件．根据提出的气敏机理模型较好地解释了热处理温度、掺杂氧化物酸碱性及催化活性等对Ｈ２Ｓ气体灵敏度的影响．

引用

页码：591 / 596

页数：6

共 5 条

[1] H2S气敏材料研究进展 [J].

方国家 ;

刘祖黎 ;

吉向东 ;

姚凯伦 .

[2] WO3中的掺杂及其气敏特性 [J].

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[3] 低温选择性硫化氢气敏元件的研制￣① [J].

徐甲强，安春仙，李宝凤，朱文会 .

[4]

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[5]

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