Ga Al In掺杂ZnO电子结构的第一性原理计算

被引：39

作者：

张富春

邓周虎

阎军锋

允江妮

张志勇

机构：

[1] 西北大学电子科学系,西北大学电子科学系,西北大学电子科学系,西北大学电子科学系,西北大学电子科学系陕西西安

[2] 延安大学物理与电子信息学院,陕西延安,陕西西安,陕西西安,陕西西安,陕西西安

来源：

电子元件与材料 | 2005年 / 08期

关键词：

半导体技术; ZnO; 第一性原理; 电子结构; 掺杂; 透明导电薄膜;

D O I：

暂无

中图分类号：

TN304 [材料];

学科分类号：

080906 [电磁信息功能材料与结构];

摘要：

计算了Ga、Al、In掺杂ZnO体系电子结构,分析了掺杂对ZnO晶体的结构、能带、电子态密度、差分电荷分布的影响。所有计算,都是基于密度泛函理论(DFT)框架下的第一性原理平面波超软赝势方法。计算结果表明:在导带底引入了大量由掺杂原子贡献的导电载流子(Ga:2.57×1021cm–3;Al:2.58×1021cm–3;In:2.53×1021cm–3),明显提高了体系的电导率。同时,光学带隙展宽,且向低能方向漂移,可作为优良的透明导电薄膜材料。

引用

页码：4 / 7+10 +10

页数：5