多晶硅薄膜太阳电池效率影响因素的研究

被引：2

作者：

李维刚

许颖

励旭东

姬成周

机构：

[1] 北京师范大学低能核物理研究所

[2] 北京师范大学射线束技术与材料改性教育部重点实验室!

[3] 北京

[4] 北京市太阳能研究所光电室!

[5] 北京师

来源：

北京师范大学学报(自然科学版) | 2001年 / 04期

基金：

北京市自然科学基金;

关键词：

太阳电池; 薄膜; 化学汽相沉积; 效率;

D O I：

暂无

中图分类号：

TM914.42 [];

学科分类号：

080502 ;

摘要：

研究了影响单晶硅衬底的多晶硅薄膜太阳电池转换效率的因素，得到该种电池的快速热化学汽相沉积（ＲＴＣＶＤ）的最佳条件．同时改进了制备薄膜太阳电池的若干工艺问题，得到了转换效率为１４．０８％的太阳电池，其填充因子为０．８０８．

引用

页码：511 / 513

页数：3

共 4 条

[1]

A device structure for thin, light trapped epitaxialsilicon silar cells. Daniel J Aiken,David D Sminth,Allen M Barnett. 25th PVSC . 1996

[2]

In-situ control in zone-melting recrystallization process forformation of high-quality thin film polycrystalline Si. Kawama Y,Takami A,Naomoto H, et al. 25th PVSC . 1996

[3]

Silicon sheets from powder as low costsubstrates for crystalline silicon thin film solar cells. Walter Zimmermann,Sandra Bau,Fridolin Hass, et al. 2nd world Conference andExhibition on Photovoltaic Solar Energy Conversion . 1998

[4]

Development of high efficiency thin film Si solar cells using zonemelting recrystallization. Morikawa H,Kawama Y,Matsuno Y, et al. Technical Digest of the International PVSEC-11 . 1999

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