Ga-In-As-Sb合金半导体MOCVD外延工艺设计的热力学分析

被引：1

作者：

张维敬

杜振民

李长荣

刘国权

机构：

[1] 北京科技大学材料科学与工程学院

来源：

金属热处理学报 | 1997年 / 03期

关键词：

Ⅲ-Ⅴ族半导体,化学气相沉积,热力学分析;

D O I：

10.13289/j.issn.1009-6264.1997.03.015

中图分类号：

TG132.2 [特种电磁性质合金];

学科分类号：

摘要：

用亚点阵模型和络合物模型描述Ⅲ Ⅴ族半导体ＭＯＣＶＤ生长过程中涉及的凝聚相及气相的热力学性质，以系统最小自由焓为相平衡判据；用ＣＡＬＰＨＡＤ技术，计算了包括复杂化学反应的多元复相体系的相图和有关相平衡信息；对多元化合物的成分空间及相应的点阵常数、能带间隙和自由焓等性质在该空间的表达提出了规范性模式。结合编建的ＣＨＡｌＧａＩｎＰＡｓＳｂ体系热力学数据库，对Ⅲ Ⅴ族合金半导体ＭＯＣＶＤ、ＭＢＥ和ＬＰＥ工艺的计算机辅助设计具有重要作用。

引用

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