GaAs/AlxGa1-xAs量子阱能级结构设计与光谱分析

被引：10

作者：

李娜

袁先漳

李宁

陆卫

李志峰

窦红飞

沈学础

金莉

李宏伟

周均铭

黄绮

机构：

[1] 中国科学院上海技术物理研究所

[2] 红外物理国家重点实验室!上海

[3] 中

来源：

物理学报 | 2000年 / 04期

关键词：

量子阱材料; 响应谱; 激光材料; x)As; 能级结构; 量子阱红外探测器; 势垒高度; 阱宽; 带间跃迁; GaAs/Al_xGa; 束缚态; 能级; Al;

D O I：

暂无

中图分类号：

O471 [半导体理论];

学科分类号：

070205 ; 080501 ; 0809 ; 080903 ;

摘要：

通过理论计算对用于量子阱红外探测器的GaAs/AlxGa1-xAs量子阱能级结构进行模拟设计 ,将不同生长结构的量子阱材料的光响应谱和光致荧光谱 (PL)与计算结果进行比较 .说明量子阱生长结构与量子阱能级结构的关系 .欲使量子阱红外探测器的响应峰值在 8μm附近 ,则需量子阱结构中阱宽为 4 7nm ,垒中Al含量为 0 2 9.理论计算与测试结果符合得较好 .

引用

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