VCSEL中布拉格反射体的电流机制和伏安特性

被引：6

作者：

康香宁

陈良惠

机构：

[1] 中科院半导体所光电子器件国家工程中心

来源：

固体电子学研究与进展 | 2004年 / 01期

关键词：

垂直腔面发射激光器; 布拉格反射体; 扩散漂移电流; 热电子发射电流;

D O I：

暂无

中图分类号：

TN242 [激光器设计];

学科分类号：

摘要：

采用张弛法数值求解静电势的泊松方程 ,得出垂直腔面发射激光器 (VCSEL)中 N型和 P型分布布拉格反射体 (DBR)中一个周期单元的精确能带图。并以此为依据 ,从理论上分别分析和比较了多子漂移扩散、纯漂移和热电子发射电流机制所起的作用。指出由一对反对称同型异质结构成的 DBR一个周期单元总是表现出欧姆性 ,但热电子发射电流机制的存在容易使每个结呈现整流特性 ,以致在电流输运过程中起主要作用的是其反向特性 ,导致偏压和电阻过大器件不能正常工作。但是漂移扩散机制具有明显欧姆性 ,在利用缓变 DBR结构消除异质尖峰势垒之后漂移扩散机制将决定主要的电流输运

引用

页码：50 / 54+59 +59

页数：6

共 7 条

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