高氧空位简并锐钛矿TiO2半导体电子寿命的第一性原理研究

被引：10

作者：

侯清玉

张跃

张涛

机构：

[1] 北京航空航天大学材料科学与工程学院

来源：

物理学报 | 2008年 / 05期

关键词：

高氧空位; 锐钛矿TiO2半导体; 电子寿命; 第一性原理;

D O I：

暂无

中图分类号：

O471 [半导体理论];

学科分类号：

070204 [等离子体物理];

摘要：

为了研究锐钛矿TiO2晶体中高氧空位浓度对电子寿命的影响,利用基于局域密度泛函理论框架下的广义梯度近似平面波超软赝势方法,用第一性原理对含高氧空位浓度的锐钛矿TiO2晶体进行了结构优化处理、能带分布和态密度分布计算,表明在温度一定和高氧空位浓度的条件下,锐钛矿TiO2的电子寿命随氧空位浓度的增大而减小;电子浓度的大小对电子寿命无影响.同时,锐钛矿TiO2晶体中高氧空位浓度时,发现有莫特相变的现象.

引用

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