金属氧化物IGZO薄膜晶体管的最新研究进展

被引：14

作者：

刘翔 ^{[1
]}

薛建设 ^{[1
]}

贾勇 ^{[1
]}

周伟峰 ^{[1
]}

肖静 ^{[2
]}

曹占峰 ^{[1
]}

机构：

[1] 京东方科技集团股份有限公司TFT-LCD器件与材料技术研究所

[2] 不详

来源：

关键词：

薄膜晶体管; 氧化铟镓锌; 氧化物; 器件结构;

D O I：

暂无

中图分类号：

TN321.5 [];

学科分类号：

摘要：

最近几年,金属氧化物IGZO薄膜晶体管成为研究热点,具有高迁移率、稳定性好、制作工艺简单等优点,备受人们关注。文章综述了制作金属氧化物IGZO晶体管的结构及其优缺点,总结了影响金属氧化物IGZO薄膜晶体管性能的因素,并提出了制作高性能金属氧化物IGZO薄膜晶体管的方法。

引用

页码：28 / 32

页数：5