碳化硅陶瓷的热等静压烧结

被引：26

作者：

佘继红

江东亮

谭寿洪

郭景坤

机构：

[1] 中国科学院上海硅酸盐研究所

来源：

硅酸盐学报 | 1997年 / 04期

关键词：

碳化硅，陶瓷，热等静压，烧结;

D O I：

10.14062/j.issn.0454-5648.1997.04.005

中图分类号：

TQ174.758.12 [];

学科分类号：

摘要：

系统地研究了不同添加剂（如Ａｌ２Ｏ３，ＡｌＮ和Ｂ４Ｃ等）在热等静压（ＨＩＰ）烧结条件下对ＳｉＣ陶瓷之致密机理、显微结构以及力学性能的影响。结果表明：在ＨＩＰ烧结过程中，Ａｌ２Ｏ３可以与ＳｉＣ颗粒表面的ＳｉＯ２生成低共熔的铝硅酸盐玻璃相，并有效地促进ＳｉＣ陶瓷的致密化。当添加３％（以质量计）Ａｌ２Ｏ３时，采用ＨＩＰ烧结工艺，在１８５０℃温度和２００ＭＰａ压力下烧结１ｈ，就可获得相对密度和抗弯强度分别高达９７．３％和５８２ＭＰａ的ＳｉＣ陶瓷。

引用

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