光刻对准中掩模光栅标记成像标定方法

被引：6

作者：

朱江平 ^{[1
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胡松 ^{[1
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于军胜 ^{[2
]}

唐燕 ^{[1
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周绍林 ^{[4
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何渝 ^{[1
,3
]}

机构：

[1] 中国科学院光电技术研究所

[2] 电子科技大学光电信息学院

[3] 中国科学院大学

[4] 华南理工大学电子与信息学院

来源：

中国激光 | 2013年 / 40卷 / 01期

关键词：

光栅; 掩模光栅; 光刻对准; 角度标定; 叠栅条纹;

D O I：

暂无

中图分类号：

TN305.7 [光刻、掩膜];

学科分类号：

1401 ;

摘要：

双光栅叠栅条纹对准方法具有精度高、可靠性强等特点,适用于接近接触式光刻。为了实现高精度测量,实际应用中要求掩模光栅标记与硅片光栅标记高度平行。掩模光栅标记在CCD中成像通常存在一定的倾斜角。由此,在已提出的相位斜率倾斜条纹标定方法上,提出了一种改进方法。该方法充分利用掩模光栅45°和135°两个方向的相位信息标定CCD的成像位置,以实现掩模光栅条纹的标定。对比两种方法分析表明,改进后的方法具有倾角测量范围大、抗噪性强、精度高等优点,理论极限精度优于0.001°量级。

引用

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