W-Cu电子封装材料的气密性

被引：39

作者：

王志法

刘正春

姜国圣

机构：

[1] 中南工业大学材料科学与工程系

来源：

关键词：

W-Cu合金,电子封装材料,气密性,诱导铜;

D O I：

10.19476/j.ysxb.1004.0609.1999.02.021

中图分类号：

TG146.411 [];

学科分类号：

摘要：

分析了传统熔渗法生产的ＷＣｕ材料气密性差的工艺因素，采用加入一定数量的诱导铜的工艺方法进行压型，通过调整成型压力，使生坯中的Ｗ含量达到电子封装ＷＣｕ１５含钨量的标准，其余的Ｃｕ在熔渗时渗入。实验表明，加入１％～２．５％的诱导铜的生坯在１３５０℃熔渗１．５ｈ，其气密性可以达到满意的效果。

引用

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