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Si/Ge应变层超晶格的椭偏光谱
被引:4
作者
:
论文数:
引用数:
h-index:
机构:
张瑞智
罗晋生
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
西安交通大学电信学院
罗晋生
机构
:
[1]
西安交通大学电信学院
来源
:
光学学报
|
1997年
/ 07期
关键词
:
椭偏光谱,介电函数,超晶格;
D O I
:
暂无
中图分类号
:
O433.5 [各类光谱];
学科分类号
:
摘要
:
测量了几种不同组分的(Si)M/(Ge)N应变超晶格材料的椭偏光谱(2.0~5.0eV),并得到了其介电函数谱;应用介电函数的临界点理论,研究了(Si)M/(Ge)N应变超晶格材料的光学性质。发现短周期Si/Ge应变超晶格除了具有明显的E1和E2带间跃迁外,还存在与应力和超晶格能带的折迭效应有关的跃迁峰,其能量分别位于2.3~3.0eV和3.3~4.0eV范围内
引用
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页码:39 / 42
页数:4
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