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单层胶剥离工艺及其应用
被引:3
作者
:
李淑琴
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
中国科学院电子学研究所
李淑琴
机构
:
[1]
中国科学院电子学研究所
来源
:
半导体技术
|
1988年
/ 02期
关键词
:
剥离工艺;
紫外曝光;
光刻胶;
光致抗蚀剂;
辅料;
单层;
D O I
:
10.13290/j.cnki.bdtjs.1988.02.009
中图分类号
:
学科分类号
:
摘要
:
本文主要叙述了单层胶剥离工艺及其原理,并对这项技术的关键问题进行了分析.文章还报导了剥离技术在Pb合金约瑟夫逊隧道结中的应用及I-V特性测试结果.其整个工艺过程均使用国产光刻胶和普通紫外曝光设备.
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页码:24 / 26+23 +23
页数:4
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