金刚石膜合成条件下的鞘层与等离子体参数分布

被引：1

作者：

詹如娟，江习承，姚东升，温晓辉，丁卫星

机构：

[1] 中国科学技术大学近代物理系

来源：

关键词：

等离子体密度，电子温度，等离子体鞘层，金刚石膜;

D O I：

10.16568/j.0254-6086.1996.03.010

中图分类号：

TQ164.8 [人造金刚钻];

学科分类号：

0817 ;

摘要：

本文报导了在用热阴极直流放电等离子体化学气相沉积（通常也称ＥＡＣＶＤ．即电子辅助化学气相沉积）方法合成金刚石的条件下的等离子体密度、电子温度、等离子体空间电位分布及基片附近等离子体鞘结构，并讨论其对成膜的影响．

引用

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