RAPD分析N+注入紫花苜蓿种子后幼苗基因组DNA变异

被引：11

作者：

陈若雷

宋道军

余增亮

李玉峰

梁运章

机构：

[1] 中科院等离子体物理研究所等离子体生物工程研究室

[2] 内蒙古大学物理系

来源：

高技术通讯 | 2001年 / 11期

关键词：

紫花苜蓿; N+注入; 发芽率; RAPD;

D O I：

暂无

中图分类号：

Q503 [生物化学技术];

学科分类号：

摘要：

用低能离子束对紫花苜蓿种子进行不同剂量的处理。从各处理组与对照组发芽率的统计分析中发现种子发芽率随处理剂量增大呈现出马鞍形曲线。应用随机引物扩增多态性DNA(RandomamplifiedpolymorphicDNA即RAPD)技术检测注入低能N+ 离子束的紫花苜蓿幼苗总DNA的结果显示 :10 0种随机引物中的 8种引物 (S4 1、S4 2 、S4 5、S4 6、S50 、S52 、S56、S58)扩增出 30条多态性片段 ,且处理组与对照组的条带数目差异随注入离子剂量的提高而增加。表明了低能N+ 注入紫花苜蓿种子可引起其基因组DNA发生变异 ,注入剂量愈大 ,突变程度愈高。

引用

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