p-AlGaN电子阻挡层Al组分对Si衬底绿光LED性能影响的研究

被引：7

作者：

毛清华

江风益

程海英

郑畅达

机构：

[1] 南昌大学教育部发光材料与器件工程研究中心

来源：

物理学报 | 2010年 / 59卷 / 11期

关键词：

氮化镓; p-AlGaN; 绿光LED; 量子效率;

D O I：

暂无

中图分类号：

TN312.8 [];

学科分类号：

0803 ;

摘要：

在Si(111)衬底上利用MOCVD方法生长了具有不同Al组分p-AlGaN电子阻挡层的绿光InGaN/GaN LED结构,并对其光电性能进行了研究.结果表明,不同Al组分样品的量子效率随电流密度的变化规律呈现多样性.在很低电流密度范围,LED量子效率随Al组分升高而下降;在较高电流密度范围,LED量子效率随Al组分升高而升高,即此时缓解了量子效率随电流密度增大而衰退的速率(即droop效应);但随着电流密度的进一步升高,反而加快了量子效率衰退的速率.这些现象解释为不同Al组分的p-AlGaN对空穴和电子注入到量子阱进行复合的机理存在差异所致.

引用

页码：8078 / 8082

页数：5