热处理温度及掺杂对氧化镍电极赝电容器特性的影响

被引：57

作者：

梁逵

陈艾

吴孟强

何莉

周旺

机构：

[1] 电子科技大学微电子与固体电子学院,电子科技大学微电子与固体电子学院,电子科技大学微电子与固体电子学院,电子科技大学微电子与固体电子学院,电子科技大学微电子与固体电子学院成都,成都,成都,成都,成都

来源：

硅酸盐学报 | 2002年 / 01期

关键词：

超大容量离子电容器; 赝电容器; 氧化镍; 钴掺杂;

D O I：

暂无

中图分类号：

TM53 [电容器];

学科分类号：

080508 [光电信息材料与器件];

摘要：

应用电化学阴极沉积法在Ni基片上制得Ni(OH) 2 膜 ,经热处理得到NiO膜 .研究了热处理温度、钴掺杂对NiO膜电极赝电容性能的影响 .结果发现 :在 2 5 0～ 5 0 0℃ ,随着热处理温度的升高 ,NiO膜电极比电容量逐渐减小 ;钴掺杂使比电容量显著增大 .以掺钴的NiO膜为电极 ,以 1mol/L的KOH水溶液为电解质溶液 ,所得电容器的比电容量可达 75F/g

引用

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