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大量生产HgCdTe所遇到的技术问题(上)
被引：2
作者：
顾聚兴
机构：
来源：
关键词：
红外探测器;
IR;
探测器;
实验设备;
HgCdTe;
红外焦平面列阵;
读出集成电路;
液相外延;
大量生产;
大批生产;
生产类型;
D O I：
暂无
中图分类号：
TN215 [红外探测、红外探测器];
学科分类号：
0803 ;
080401 ;
080901 ;
摘要：
<正> 1引言 第二代红外探测器现已成熟到可生产的水 平。这些探测器主要基于HgCdTe技术。在法国 红外探测器公司(SOFRADIR),达到大量生产 水平的第二代探测器主要是288×4元长波红外 探测器和480×6元长波红外探测器,前者主要 用于欧洲的前视红外系统,后者则用于美国陆 军的标准先进杜瓦装置(SAOA)。在今后的几年 中,320×256元的HgCdTe凝视列阵将达到大量 生产的水平。
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