微机保护装置过电压耐受能力试验分析

被引:22
作者
陈楠 [1 ]
文习山 [1 ]
蓝磊 [1 ]
蒋日坤 [1 ]
刘张磊 [2 ]
杨建军 [3 ]
机构
[1] 武汉大学电气工程学院
[2] 长沙电业局
[3] 华东勘测设计研究院
关键词
变电站; 地电位升; 微机保护装置; 光耦; 耐压试验; 抗干扰;
D O I
10.13336/j.1003-6520.hve.2010.12.008
中图分类号
TM774 [继电保护装置];
学科分类号
080802 [电力系统及其自动化];
摘要
变电站地网电位升高可能会干扰甚至破坏相关二次设备。为此,对变电站微机保护装置各独立回路对地之间进行了工频耐压和冲击耐压试验,同时试验研究了保护装置内部光电隔离电路的冲击和工频电压耐受能力。试验结果表明:微机保护装置的工频和冲击电压耐受能力低于传统继电保护设备;装置内部光电隔离回路所能承受的耐压远小于光隔芯片本身的隔离电压;耐压试验数据具有一定的分散性,冲击过电压的破坏作用远大于工频过电压。最后推荐了微机的抗干扰措施,并认为只要按要求做好相关保护工作,可以避免由于地电位升对微机保护装置的破坏和干扰。
引用
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页码:2902 / 2906
页数:5
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