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原位生成TiB2颗粒增韧SiC基复相陶瓷研究
被引：14
作者：
张国军，何余，金宗哲
机构：
[1] 中国建筑材料科学研究院
来源：
关键词：
碳化硅，硼化钛，原位生成，颗粒复相陶瓷，增韧机理;
D O I：
10.14062/j.issn.0454-5648.1995.02.003
中图分类号：
TQ174.758.12 [];
学科分类号：
摘要：
提出一种新的方法制备ＳｉＣ－ＴｉＢ＿２颗粒复相陶瓷。通过Ｔｉ，Ｓｉ与Ｂ＿４Ｃ之间的化学反应在ＳｉＣ基体中原位生成ＴｉＢ＿２颗粒，获得的ＴｉＢ２颗粒一般在５μｍ以下，但发现有ＴｉＢ＿２颗粒团聚现象。其中ＳｉＣ－ＴｉＢ＿２３０％（ｖｏｌ）复相陶瓷的断裂韧性和三点弯曲强度分别比ＳｉＣ基体提高约１倍，达到４．５ＭＰａ·ｍ和４００ＭＰａ。认为ＴｉＢ＿２颗粒与ＳｉＣ基体之间热膨胀系数不同导致的残余应力场引起的裂纹偏转和形成的弹性桥联及摩擦桥联是ＳｉＣ－ＴｉＢ＿２颗粒复相陶瓷的主要增韧机理。
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页码：134 / 140
页数：7
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