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EBCCD等几种常见成像器件的分析及比较
被引:2
作者
:
论文数:
引用数:
h-index:
机构:
杨承
朱大勇
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
电子科技大学光电信息学院,电子科技大学光电信息学院成都,成都
朱大勇
机构
:
[1]
电子科技大学光电信息学院,电子科技大学光电信息学院成都,成都
来源
:
仪器仪表学报
|
2005年
/ S1期
关键词
:
低能见度;
背向照明;
电子轰击;
图像增强器;
D O I
:
10.19650/j.cnki.cjsi.2005.s1.119
中图分类号
:
TP212 [发送器(变换器)、传感器];
学科分类号
:
080202 ;
摘要
:
根据ICCD、BCCD和EBCCD的结构特点,分析了三种器件的MTF特性,并在相同目标条件下计算比较了它们的SNR。研究表明,在中等光强下BCCD的性能优于ICCD,而在极弱的光强下,EBCCD能取代ICCD。
引用
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页码:275 / 276
页数:2
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Back-illuminated and electron-bombarded CCD low light level imaging system performance. George M,Williams Jr. et al. SPIE .
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